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一、研究所简介
1956年，在新中国首个中长期科学技术发展的纲领性文件——《1956-1967年科学技术发展远景规划》中，半导体科学技术被确立为国家新技术发展的四大紧急措施之一。为奠定中国半导体科学技术研究的基石、构建系统化的研发体系，我国于1960年9月在北京成立中国科学院半导体研究所(Institute of Semiconductors, CAS)，开启了中国半导体科学技术的发展之路。
建所65年来，半导体研究所在我国半导体科技发展的各个历史阶段均做出了重大贡献，取得了令人瞩目的成就：中国第一根锗单晶、硅单晶、砷化镓单晶，第一只锗晶体管、硅平面晶体管，第一块集成电路，第一台硅单晶炉、区熔炉等，均诞生于半导体研究所。研究所共获得国家级奖励近40项，黄昆院士荣获2001年度国家最高科学技术奖。
半导体研究所作为集半导体物理、材料、器件研究及系统应用为一体的国家级综合性研究机构，拥有两个全国重点实验室——光电子材料与器件全国重点实验室、半导体芯片物理与技术全国重点实验室；两个国家级研究中心—国家光电子工艺中心、光电子器件国家工程研究中心；一个院级实验室——中国科学院固态光电信息技术重点实验室；还设有纳米光电子实验室、人工智能与高速电路实验室、光电系统实验室、全固态光源实验室、宽禁带半导体研发中心、光电子工程中心、半导体集成技术工程研究中心和元器件检测中心。现有职工700余人，其中包括中国科学院院士8名，中国工程院院士1名，高层次引进人才计划入选者53人，国家级领军人才计划入选者27 人，国家级青年人才计划入选者17人。研究所设有3个博士后流动站，拥有8个学术型学科专业博士和硕士培养点，以及2个专业学位领域培养点。作为中国科学院大学材料科学与光电技术学院的主办单位，研究所主办的“材料科学与工程”学科入选国家一流学科。
二、研究所科研条件支撑平台
研究所构建了覆盖半导体研发制造全链条的国际一流设施和技术体系，涵盖材料仿真、分子束外延生长、纳米光刻、等离子刻蚀、先进封装及晶圆级测试等全流程能力，包括：从原子级到系统级半导体材料与器件仿真，从分子束外延到纳米级电子束光刻系统，从等离子体刻蚀系统到晶圆级先进封装，以及完备的材料表征实验室和晶圆级测试平台。研究所现有百级/千级超净实验室总面积逾6000平方米，大型半导体设备种类齐全，可制备III-V族化合物、宽禁带以及硅基等多种先进半导体材料与器件，工作波长覆盖紫外、可见光、红外、太赫兹至微波波段，形成了“机理-设计-制造-封装-测试”五位一体的完整研发闭环，可为微电子和光电子系统提供从原型开发到小批量试制的全周期支撑。
三、招聘领域
半导体所拟在半导体科学与技术相关领域（包括但不限于凝聚态物理、半导体物理、半导体器件物理、半导体材料与器件、半导体光电子学、微电子学与固体电子学、物理电子学、集成电路科学与工程、光学工程、电路与系统、电子信息、材料与化工等学科方向）招聘海内外青年人才。
四、招聘岗位
五、应聘条件
1.获得博士学位，且获学位时间一般不超过3年；
2.身心健康，年龄在35周岁以下（含35岁）；
3.进站后保证全脱产从事博士后研究工作；
4.恪守科研道德和学术规范，学风正派，爱岗敬业，诚实守信；
5.具有较大发展潜力，较好的创新研究成果，良好的团队协作精神；
6.符合全国博管会及研究所招收博士后的相关要求。
六、福利待遇
1.半导体所提供有竞争力的薪酬待遇，享受完备的社保和福利待遇；
2.支持申请国家资助博士后研究人员计划（A/B/C档）、博士后国（境）外交流项目、中国科学院特别研究助理资助项目、中国博士后科学基金、国家自然科学基金等基金项目；
3.成果优秀的博士后出站后可优先竞聘半导体所的相关工作岗位；
4.享受全国博管会关于出站博士后户口迁移及家属户口随迁等政策。
七、应聘材料
2.证明个人能力的材料，如：博士学位论文、论文著作首页、专利证书、获奖证书复印件等；
3.毕业证书、学位证书扫描件(未获得学位可暂用培养单位证明代替)。
八、应聘程序
应聘者以电子邮件附件的形式将应聘材料发送至各岗位联系人邮箱，邮件标题请注明“博士后竞聘+姓名+专业+毕业学校”。研究所各相关部门将对应聘人员进行资格审查，并电话或邮件通知初审合格者后续招聘事宜，资格审查未通过者，不再另行告知。
应聘过程中如有政策问题请联系半导体所人事教育处：
联系人：陈老师
电话：010-82305345
地址：北京市海淀区清华东路甲35号
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